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中国光刻机技术受阻高盛：短期难赶超西方
作者：John 2025年9月2日
中国大陆光刻机技术瓶颈凸显高盛：短时间内难赶超西方美国投行高盛最新发布研究报告指出，中国大陆在半导体制造关键环节的光刻机研发上仍存在明显瓶颈。目前国产光刻机水平停留在65纳米制程，至少落后西方国际大厂20年。高盛报告分析，先进光刻机领域目前由荷兰公司ASML垄断，其极紫外光（EUV）和高...

发布于 ASML, 中国大陆半导体, 光刻机技术

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