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中国光刻机技术受阻 高盛：短期难赶超西方
中国大陆光刻机技术瓶颈凸显 高盛：短时间内难赶超西方 美国投行高盛最新发布研究报告指出，中国大陆在半导体制造关键环节的光刻机研发上仍存在明显瓶颈。目前国产光刻机水平停留在65纳米制程，至少落后西方国际大厂20年。 高盛报告分析，先进光刻机领域目前由荷兰公司ASML垄断，其极紫外光（EUV）和高... -
ASML执行长：中国芯片技术落后西方
ASML执行长：中国芯片技术落后西方10-15年 荷兰半导体微影设备巨头ASML执行长富凯日前指出，由于美国对中国实施极紫外光（EUV）曝光设备出口禁令，中国无法获得尖端曝光机，与英特尔、台积电和三星等行业巨头相比，中国芯片技术将落后西方10年或15年。 富凯表示，该禁令确实会对ASML产生影...