中国光刻机技术受阻 高盛：短期难赶超西方

中国大陆光刻机技术瓶颈凸显 高盛：短时间内难赶超西方

美国投行高盛最新发布研究报告指出，中国大陆在半导体制造关键环节的光刻机研发上仍存在明显瓶颈。目前国产光刻机水平停留在65纳米制程，至少落后西方国际大厂20年。

高盛报告分析，先进光刻机领域目前由荷兰公司ASML垄断，其极紫外光（EUV）和高数值孔径（High,NA）EUV光刻机是业界最先进的设备。但由于ASML依赖美国关键零组件，美国政府可以对向中国大陆的销售加以限制。

即使中芯国际等芯片制造巨头能够生产出7纳米制程芯片，也极有可能通过ASML较旧的深紫外光（DUV）光刻机来实现，因为中国目前缺乏制造先进光刻机的能力，核心零组件主要来自美国和欧洲供应商。

报告还指出，ASML从65纳米技术跃升至低于3纳米的工艺历经二十年并投入高达400亿美元的研发与资本支出。综合考虑中国大陆当前的技术水平、庞大投入需求以及全球供应链的依赖性，高盛预计大陆光刻机厂商短期内难以赶上西方先进技术的可能性很小。

这份报告无疑为中国在高端芯片领域实现自给自足的目标设置了巨大的障碍。近期，国内半导体装备企业新凯来宣布将参加今年秋季举办的半导体设备展，外界关注其是否能突破光刻机技术瓶颈。但去年3月，新凯来在上海国际半导体展上发布的多款设备，并未出现针对光刻技术的重大突破。

阅读本文之前，你最好先了解…

• 光刻机的作用: 光刻机是半导体芯片制造过程中至关重要的设备，它使用紫外线或极紫外线照射硅片上的光罩模板，将电路图案转移到硅片上。不同制程的光刻机需要更强的分辨率和精准度来刻画更小的晶体管。
• EUV 和 DUV 光刻机的区别: EUV（极紫外光）光刻机使用波长更短的紫外线进行照射，可以刻画更小、更精密的电路图案，是目前最先进的光刻技术。DUV（深紫外光）光刻机则是相对较旧的技术，但仍然被广泛用于生产部分芯片。
• 中国大陆半导体产业现状: 中国大陆在半导体制造领域仍处于发展阶段，尽管近年来取得了一些进展，但在高端芯片和关键设备方面依然依赖进口。

高盛报告的结论引发了业界对中国大陆光刻机技术瓶颈的广泛讨论。 一些专家认为，即使短期内难以赶上西方先进水平，中国也应该加大投入研发，争取在未来几年取得突破。

• 人才培养: 光刻机的研发需要大量的专业人才，中国需要加强高校和科研院所的建设，吸引优秀人才从事光刻机领域的研究。
• 自主创新: 中国应该鼓励企业进行自主创新，减少对国外关键零组件的依赖，例如发展国产芯片设计和生产技术。
• 政策支持: 政府可以提供财政补贴、税收优惠等政策支持，帮助光刻机企业克服研发成本高、周期长的难题。

虽然挑战巨大，但中国在半导体领域依然充满了机遇。 庞大的市场需求和强劲的产业链基础为中国提供了发展的空间。 加大投入研发，加强自主创新，相信中国的光刻机技术最终会取得突破。

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